类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 越来越多的功能 | 引脚数 | 触点形状 | 外壳材料 | 供应商器件包装 | 材料 | 介电材料 | 房屋材料 | 插入材料 | 形状 | 包装冷却 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage Rating AC | 操作温度 | 包装 | 系列 | 尺寸/尺寸 | 容差 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 温度系数 | 连接器类型 | 类型 | 电阻 | 定位的数量 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 组成 | 颜色 | 应用 | 功率(瓦特) | 附加功能 | 电容量 | 紧固类型 | 子类别 | 触点类型 | 螺距 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 方向 | 终端形式 | 屏蔽/屏蔽 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 入口保护 | 绝缘高度 | Reach合规守则 | 外壳完成 | 引脚数量 | 外壳尺寸-插入 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 房屋颜色 | 失败率 | 引线间距 | 配置 | 注意 | 触点尾部长度 | 终端类型 | 层数 | 操作模式 | 功率耗散 | 外壳尺寸,MIL | 配件类型 | 箱体转运 | 电源线保护 | 接通延迟时间 | 电压 - 击穿 | 功率 - 最大 | 功率 - 脉冲峰值 | 触点配接表面处理 | 峰值脉冲电流(10/1000μs) | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 电压 - 反向断态(典型值) | 线规或量程 - AWG | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 每级位置 | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 插头导线入口 | 标题方向 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 线规或量程 - mm2 | 产品类别 | 剥线长度 | 双向通道 | 屏蔽的 | 连续放电电流(ID) | 包括 | 栅极至源极电压(Vgs) | 螺丝尺寸 | 电容@频率 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 设计 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 输入电容 | DS 击穿电压-最小值 | 信道型 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 场效应管特性 | 最大rds | 特征 | 产品类别 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 材料可燃性等级 | 评级结果 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APTM20AM08FTG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP4 | SP4 | 微芯片技术 | 208 | Bulk | APTM20 | 208A | 活跃 | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 781W | 10mOhm @ 104A, 10V | 5V @ 5mA | 14400pF @ 25V | 280nC @ 10V | 200V | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTM50DDAM65T3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3 | SP3 | 微芯片技术 | 51 | Bulk | APTM50 | 51A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Dual) | 390W | 78mOhm @ 25.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 7000pF @ 25V | 140nC @ 10V | 500V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MSCMC170AM08CT6LIAG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SP6C LI | 11 | 碳化硅 | -40 °C | 150 °C | 有 | MSCMC170AM08CT6LIAG | RECTANGULAR | Microsemi Corporation | 2 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.74 | PEI-Genesis | 280 A | Bulk | 活跃 | MSCMC170 | 280A (Tc) | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | -40°C ~ 150°C (TJ) | * | UPPER | UNSPECIFIED | compliant | R-XUFM-X11 | SERIES, 2 ELEMENTS | 增强型MOSFET | ISOLATED | 1780W (Tc) | 2 N Channel (Phase Leg) | SWITCHING | 11.7mOhm @ 300A, 20V | 4V @ 108mA | 22000pF @ 1000V | 1128nC @ 20V | 1700V (1.7kV) | N-CHANNEL | 280 A | 0.0117 Ω | 560 A | 1700 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1780 W | Silicon Carbide (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTM10DSKM19T3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3 | SP3 | Knowles Syfer | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 70 | APTM10 | 70A | -40°C ~ 150°C (TJ) | * | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Dual) | 208W | 21mOhm @ 35A, 10V | 4V @ 1mA | 5100pF @ 25V | 200nC @ 10V | 100V | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTMC120TAM12CTPAG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Free Hanging (In-Line) | SP6 | NO | SP6-P | Thermoplastic | 26 | 碳化硅 | Bulk | VM09 | 0.4 Nm (3.5 Lb-In) | 20 A | 活跃 | Copper | 300 V | - | 220 | 220A (Tc) | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X26 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | Amphenol Anytek | -40 °C | 未说明 | 150 °C | 有 | APTMC120TAM12CTPAG | RECTANGULAR | 6 | 不推荐 | MICROSEMI CORP | 5.75 | 220 A | -40°C ~ 115°C | Tube | VM | EAR99 | Plug, Female Sockets | 9 | Black | Discrete Semiconductor Modules | 0.200 (5.08mm) | Silicon Carbide (SiC) | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | - | 0.587 (14.91mm) | compliant | Screw - Pressure Clip | R-XUFM-X26 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | - | 1 | 增强型MOSFET | 925 | ISOLATED | 925W | Tin | 12-22 AWG | SWITCHING | 12mOhm @ 150A, 20V | 2.4V @ 30mA (Typ) | 9 | 8400pF @ 1000V | 483nC @ 20V | 180° | - | 1200V (1.2kV) | N-CHANNEL | 0.34-2.5mm² | Discrete Semiconductor Modules | 6-7mm | M2.5 | 220 A | 0.012 Ω | 440 A | 1200 V | Dual N | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 925 W | - | Mating Flange, Retention Latches (Non-Wire Side) | Discrete Semiconductor Modules | UL94 V-0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN53D0LDW-7-52 | Diodes | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SOT-363 | Diodes Incorporated | Bulk | DMN53 | 360mA (Ta) | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel | 310mW (Ta) | 1.6Ohm @ 500mA, 10V | 1.5V @ 250µA | 46pF @ 25V | 0.6nC @ 4.5V | 50V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PMDXB550UNE/S500Z | NXP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 恩智浦半导体 | Bulk | 活跃 | * | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTM60H23FT1G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-41 | 芯片技术 | Tape & Box (TB) | P4KE15 | 活跃 | 20 | 20A | -55°C ~ 150°C (TJ) | P4KE-HF | Zener | 通用型 | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 4 N-Channel (Half Bridge) | 无 | 14.25V | 208W | 400W | 18.87A | 21.2V | 12.8V | 276mOhm @ 17A, 10V | 5V @ 1mA | 5316pF @ 25V | 165nC @ 10V | 600V | 1 | - | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTM10AM02FG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6 | 微芯片技术 | 495 | Bulk | APTM10 | 495A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 1.25 | 1250W | 2.5mOhm @ 200A, 10V | 4V @ 10mA | 40000pF @ 25V | 1360nC @ 10V | 100V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PHKD13N03LT,518 | NXP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SO | NXP USA Inc. | 表面贴装 | Bulk | 10.4A | 活跃 | -55°C to +130°C | TrenchMOS™ | 0.1 | Pb | 3.57W | 2 N-Channel (Dual) | 20mOhm @ 8A, 10V | 2V @ 250µA | 752pF @ 15V | 10.7nC @ 5V | 30V | 无 | 逻辑电平门 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF4MR12KM1H | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Infineon Technologies | Tray | FF4MR12 | 活跃 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTC60HM45SCTG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | NO | 4 | SP4 | 14 | SILICON | 8541290080 | 4 | Compliant | 100 ns | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 150 °C | 有 | APTC60HM45SCTG | RECTANGULAR | Lantronix, Inc. | Microsemi Corporation | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.67 | 49 A | Bulk | 活跃 | IDF25242 | 49 | APTC60 | 49A | -40°C ~ 150°C (TJ) | FOX3 | EAR99 | 150 °C | -40 °C | AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE | 250 W | MOSFET (Metal Oxide) | UPPER | UNSPECIFIED | compliant | 14 | R-XUFM-X14 | 不合格 | 4 N-Channel (Half Bridge) | 增强型MOSFET | 250 W | 温度传感器 | ISOLATED | 21 ns | 250W | SWITCHING | 45mOhm @ 22.5A, 10V | 3.9V @ 3mA | 7200pF @ 25V | 150nC @ 10V | 30 ns | 600V | N-CHANNEL | 49 A | 20 V | 0.045 Ω | 130 A | 7.2 nF | 600 V | Dual N | 1900 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 超级交界处 | 45 mΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BUK9K89-100E 115 | NXP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | LFPAK56D | Kamaya Inc. | 活跃 | 12.5A | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 175°C (TJ) | * | 38W | 2 N-Channel (Dual) | 85mOhm @ 5A, 10V | 2.1V @ 1mA | 1108pF @ 25V | 16.8nC @ 10V | 100V | 逻辑电平门 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NXV08H350XT1 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 17-PowerDIP Module (1.390, 35.30mm) | APM17-MDC | onsemi | Bulk | NXV08 | - | 活跃 | -40°C ~ 125°C (TA) | Automotive, AEC-Q101 | MOSFET (Metal Oxide) | - | 0.762mOhm @ 160A, 12V | 4.6V @ 1mA | 24350pF @ 40V | 320nC @ 10V | 80V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMG1029SVQ-7-52 | Diodes | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563 | Diodes Incorporated | Non-Compliant | Bulk | DMG1029 | 500mA (Ta), 360mA (Ta) | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive, AEC-Q101 | MOSFET (Metal Oxide) | N and P-Channel Complementary | 450mW (Ta) | 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V | 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA | 30pF @ 25V, 25pF @ 25V | 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V | 60V | Standard | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BUK7K6R2-40E/1X | Nexperia | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 推销 | 表面贴装 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | LFPAK56D | Aluminium | Fins, Square | ASIC | Nexperia USA Inc. | Compliant | Bulk | BUK7K6 | 40A (Ta) | 最后一次购买 | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive, AEC-Q101 | 68W (Ta) | 5.8mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 1mA | 2210pF @ 25V | 32.3nC @ 10V | 40V | Standard | 40.005 mm | 40.005 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BUK98150-55/CU | Nexperia | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Nexperia USA Inc. | Bulk | 活跃 | * | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MCS8804-TP | Micro Commercial Components | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 0603 (1608 Metric) | 0603 | KOA Speer Electronics, Inc. | Tape & Reel (TR) | RS73G1JRT | 活跃 | 8A | -55°C ~ 155°C | RS73-RT | 0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm) | ±0.5% | 2 | ±50ppm/°C | 21.5 kOhms | 厚膜 | 0.2W, 1/5W | - | - | 2 N-Channel (Dual) | 13mOhm @ 8A, 10V | 1V @ 250µA | 1800pF @ 10V | 17.9nC @ 4.5V | 20V | Standard | Automotive AEC-Q200 | 0.022 (0.55mm) | AEC-Q200 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS6894A | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 面板安装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Flange | Circular | 铝合金 | 8-SOIC | Polychloroprene | ITT Cannon, LLC | Bulk | CIR03 | 16S | 活跃 | 8A | -55°C ~ 125°C | CIR | 插座外壳 | 用于内螺纹插座 | 5 | 卡口锁 | Crimp | X | Unshielded | - | Chromate over Cadmium | 14S-5 | 橄榄色 | 不包括触点 | - | 900mW | 2 N-Channel (Dual) | 17mOhm @ 8A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 1676pF @ 10V | 24nC @ 4.5V | 20V | - | 逻辑电平门 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N7002BKV,115 | NXP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NXP USA Inc. | Galaxy Tab A 10.1 | Black | Bulk | 2N70 | 活跃 | * | FlipCase | Built-in stand | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMC2990UDJQ-7-52 | Diodes | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOT-963 | SOT-963 | Diodes Incorporated | Bulk | DMC2990 | 450mA (Ta), 310mA (Ta) | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive, AEC-Q101 | MOSFET (Metal Oxide) | N and P-Channel Complementary | 350mW (Ta) | 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V | 1V @ 250µA | 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V | 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V | 20V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMC2038LVTQ-7-52 | Diodes | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TSOT-26 | Diodes Incorporated | Bulk | DMC2038 | 3.7A (Ta), 2.6A (Ta) | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive, AEC-Q101 | MOSFET (Metal Oxide) | N and P-Channel Complementary | 800mW (Ta) | 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V | 1V @ 250µA | 530pF @ 10V, 705pF @ 10V | 17nC @ 10V, 14nC @ 10V | 20V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDB3652SB82059 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AUIRF9952QTR | International Rectifier | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | Radial | 8-SO | Polypropylene (PP), Metallized | International Rectifier | -- | 2000V (2kV) | Bulk | 3.5A, 2.3A | 活跃 | 700V | -55°C ~ 100°C | Tape & Reel (TR) | MKP1841 | 1.024 L x 0.236 W (26.00mm x 6.00mm) | ±10% | 活跃 | -- | PC引脚 | DC Link, DC Filtering; High Pulse, DV/DT; Snubber | 2200pF | 0.886 (22.50mm) | 2W | N and P-Channel | 100mOhm @ 2.2A, 10V | 3V @ 250µA | 190pF @ 15V | 14nC @ 10V | 30V | 逻辑电平门 | -- | 0.610 (15.50mm) | -- | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EFC4C002NLTDG | Texas Instruments | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-XFBGA, WLCSP | 8-WLCSP (6x2.5) | 德州仪器 | Bulk | EFC4C002 | - | 活跃 | 150°C (TJ) | - | 2.6W | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | - | 2.2V @ 1mA | 6200pF @ 15V | 45nC @ 4.5V | - | 逻辑电平门 |
APTM20AM08FTG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTM50DDAM65T3G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
MSCMC170AM08CT6LIAG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTM10DSKM19T3G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTMC120TAM12CTPAG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMN53D0LDW-7-52
Diodes
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
PMDXB550UNE/S500Z
NXP
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTM60H23FT1G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTM10AM02FG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
PHKD13N03LT,518
NXP
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FF4MR12KM1H
Infineon
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTC60HM45SCTG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
BUK9K89-100E 115
NXP
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NXV08H350XT1
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMG1029SVQ-7-52
Diodes
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
BUK7K6R2-40E/1X
Nexperia
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
BUK98150-55/CU
Nexperia
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
MCS8804-TP
Micro Commercial Components
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FDS6894A
Fairchild
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2N7002BKV,115
NXP
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMC2990UDJQ-7-52
Diodes
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMC2038LVTQ-7-52
Diodes
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FDB3652SB82059
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
AUIRF9952QTR
International Rectifier
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
EFC4C002NLTDG
Texas Instruments
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
